СТЕПЕНЬ ИНТЕГРАЦИИ [Scale integration]

Степень интеграции - это, Что такое степень интеграции, Определение термина степень интеграции

Характеристика, определяющая плотность упаковки (размещения) на одном кристалле (чипе) схемных элементов ИС.
Различают следующие степени интеграции — малая, средняя, большая и сверхбольшая. В настоящее время актуальными являются в основном сверхбольшая степень интеграции—VLSI, ULSI (Very (Ultra) Large-Scale Integration), характеризующаяся плотностью упаковки более 10е элементов на кристалл, а также (преимущественно для бытового назначения) большая степень интеграции интеграции—LSI (Large-Scale Integration) —от 103 до 104 элементов на кристалл.
Развитие микроэлектроники, выраженное в увеличении степени интеграции, является физической основой развития вычислительной техники. В соответствии с законом Мура количество транзисторов в одной микросхеме должно удваиваться. Это можно показать на примере развития микропроцессоров корпорации Intel: 1965 г. —30; 1975 —65 тыс.; 1978 г. —на кристалле микросхемы ЦП 8086 содержалось 29 тыс. транзисторов; 1982 г. (i286) — 134 тыс.; 1985 г. (i386) — 275 тыс.; 1989 г. (i486DX) —1,4 млн; 1993 г. (Pentium) —3,1 млн; 1995- 1996 гг. (Pentium Pro) —5,5 млн В 2000 г. количество транзисторов на одном кристалле составило ~ 50 млн; в 2002 г. (Pentium 4 на основе 0,13 мкм технологии) — 55 млн. В августе 2004 г. корпорация Intel выпустила на основе использования 65-нанометровой технологии микросхемы памяти стандарта SRAM, содержащие более 0,5 млрд транзисторов (емкость 70 Мбит). Соответственно возрастала и тактовая частота работы микропроцессоров.
В соответствии с законом Мураее) в 2010 г. следует ожидать появления микропроцессоров с тактовой частотой 30 ГГц и размером схемных элементов 10 нм и меньше (по другим прогнозам: к 2015 г. — 11 нм, к 2017 г.— 8 нм).