ПАМЯТЬ [memory, storage]

Память - это, Что такое память, Определение термина память, Память с записью-считыванием, Постоянная память, Программируемая постоянная память, Электрически программируемое ПЗУ, Электрически стираемое программируемое ПЗУ, Энергонезависимая память, Энергозависимая память, Динамическая память, Акустическая память, Голографическая память, Емкостная память, Криогенная память, Лазерная память, Магнитная память, Магнитооптическая память, Молекулярная память, Полупроводниковая память, Ферритовая память, Фазоинверсная память, Электростатическая память, Автономная память, Адресуемая память, Ассоциативная память, Буферная память, Виртуальная память, Временная память, Вспомогательная память, Вторичная память, Гибкая память, Дополнительная память, Иерархическая память, Коллективная память, Корректирующая память, Локальная память, Стековая память, Матричная память, Многоблочная память, Многовходовая память, Многоуровневая память, Оперативно доступная память, Объектно-ориентированная память, Оверлейная память, Одноуровневая память, Память параллельного действия, Перезагружаемая управляющая память, Перемещаемая память, Память Последовательного действия, Память процессора, Функциональная память, Рабочая память, Реальная память, Регистровая память, Свободная память, Семантическая память, Совместно используемая память, Память с защитой, Память с последовательным доступом, Память с прямым доступом, Память с пословной организацией, Статическая память, Страничная память, Управляющая память

Среда или функциональная часть ЭВМ, предназначенная для приема, хранения и избирательной выдачи данных. Различают оперативную (главную, основную, внутреннюю), регистровую, кэш- и внешнюю память.
Запоминающее устройство, ЗУ [storage unit, memory unit] — техническое средство, реализующее функции памяти ЭВМ.
Ячейка памяти [cell, memory cell, storage cell] — минимальная адресуемая область памяти (в том числе запоминающего устройства и регистра).
1. В зависимости от возможности записи и перезаписи данных, устройства памяти подразделяется на следующие типы:
 - память (ЗУ) с записью-считыванием [read/write memory] —тип памяти, дающей возможность пользователю помимо считывания данных производить их исходную запись, стирание и/или обновление. К этому виду могут быть отнесены оперативная память;
 - постоянная память, постоянное ЗУ, ПЗУ [Read Only Memory, ROM] — тип памяти (ЗУ), предназначенный для хранения и считывания данных, которые никогда не изменяются. Запись данных на ПЗУ производится в процессе его изготовления, поэтому пользователем изменяться не может. Наиболее распространены ПЗУ, выполненные на интегральных микросхемах (БИС, СБИС) и оптических (компакт-) дисках;
 - программируемая постоянная память, программируемое ПЗУ, ППЗУ [PROM, Programmable Read-Only Memory] —постоянная память или ПЗУ, в которых возможна запись или смена данных путем воздействия на носитель информации электрическими, магнитными и/или электромагнитными (в том числе ультрафиолетовыми или другими) полями под управлением специальной программы. Различают ППЗУ с однократной записью и стираемые ППЗУ [EPROM, Erasable PROM], в том числе:
 - электрически программируемое ПЗУ, ЭППЗУ—EAROM (Electrically Alterable Read Only Memory);
 - электрически стираемое программируемое ПЗУ, ЭСПЗУ — EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory). К стираемым ППЗУ относятся микросхемы флэш-памяти отличающиеся высокой скоростью доступа и возможностью быстрого стирания данных.
2. Виды памяти, различаемые по признаку зависимости сохранения записи при снятии электропитания:
 - энергонезависимая (не разрушаемая) память (ЗУ) [nonvolatile storage] — память или ЗУ, записи в которых не стираются (не разрушаются) при снятии электропитания. К этому типу памяти относятся все виды ПЗУ и ППЗУ;
 - энергозависимая (разрушаемая) память (ЗУ) [volatile storage] — память или ЗУ, записи в которых не стираются (не разрушаются) при снятии электропитания. К этому типу памяти относится оперативная память;
 - динамическая память [dynamic storage] — разновидность энергозависимой полупроводниковой памяти, в которой хранимая информация с течением времени разрушается, поэтому для сохранения записей необходимо производить их периодическое восстановление (регенерацию), которое выполняется под управлением специальных внешних схемных элементов.
3. Различия видов памяти по виду физического носителя и способа записи данных:
 - акустическая память [acoustic storage] — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве среды для записи и хранения данных замкнутые акустические линии задержки;
 - голографическая память [holographic storage] — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве среды для записи и хранения графической объемной (пространственной) информации голограмм;
 - емкостная память [capacitor storage] — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве среды для записи и хранения данных конденсаторы;
 - криогенная память [cryogenic storage] — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве среды для записи и хранения данных материалы, обладающие сверхпроводимостью;
 - лазерная память [laser storage] — вид памяти (ЗУ), в котором запись и считывание данных производятся лучом лазера;
 - магнитная память [magnetic storage] — вид памяти (ЗУ), использующий магнитный материал в качестве среды для записи и хранения данных. Разновидностями этого вида памяти являются память на магнитной проволоке [plated wire memory], память на магнитной пленке [thin-film memory], наносимой на некоторую подложку, например стеклянную. Наиболее широко использующимися устройствами реализации магнитной памяти в современных ЭВМ являются накопители на магнитных лентах (НМЛ), магнитных (жестких и гибких) дисках (НЖМД и НГМД);
 - магнитооптическая память [magnetooptics storage] — вид памяти, использующий магнитный материал, запись данных на который возможна только при нагреве до температуры Кюри (порядка 145°С), осуществляемом в точке записи лучом лазера (объем записи на стандартные 3,5 и 5,25 дюймовые гибкие диски составляет при этом соответственно до 600 Мбайт и 1,3 Гбайта). В 2002 г. фирма Fujitsu выпустила магнитооптические накопители DynaMO 2300U2 и дискеты к ним (стандартный размер дискет 3,5 дюйма) емкостью 2,3 Гбайт.
 - молекулярная память [molecular storage] —вид памяти, использующей технологию "атомной тунельной микроскопии", в соответствии с которой запись и считывание данных производится на молекулярном уровне. Носителями информации являются специальные виды пленок. Головки, считывающие данные, сканируют поверхность пленки. Их чувствительность позволяет определять наличие или отсутствие в молекулах отдельных атомов, на чем и основан принцип записи/считывания данных. В середине 1999 г. эта технология была продемонстрирована фирмой Nanochip. В основе архитектуры устройств записи/считывания лежит технология HARE (Molecular Array Read/write Engine). Достигнуты следующие показатели по плотности упаковки: ~ 40 Гбит/см2 в устройствах чтения/записи и 128 Гбит/см2 в устройствах с однократной записью, что считается в 6 раз выше, чем у экспериментальных образцов, которые основаны на классической технологии магнитной записи, и более чем в 25 раз превосходит лучшие ее образцы, находящиеся в серийном производстве.
 - полупроводниковая память [semiconductor storage] — вид памяти (ЗУ), использующий в качестве средств записи и хранения данных микроэлектронные интегральные схемы (БИС и СБИС).
Преимущественное применение этот вид памяти получил в постоянных запоминающих устройствах и, в частности, в качестве оперативной памяти ЭВМ, поскольку он характеризуется высоким быстродействием. Сравнительно недавно объем памяти, реализуемой на одной твердотельной (полупроводниковой) плате, ограничивался единицами Мбайт. Однако в настоящее время рядом фирм США, Японии и Европы разработана миниатюрная плата памяти с габаритами 38 х 33 х 3,5 мм, объемом памяти до 64 Мбайт и уже принят соответствующий международный стандарт. Это позволяет существенно расширить использование твердотельной памяти, в том числе в качестве устройств внешней памяти ПЭВМ и в других применениях.
 - ферритовая память [core storage] — вид оперативной памяти на ферритовых сердечниках;
 - фазоинверсная (PCR) память [PCR, Phase Change Rewritable storage] — разновидность лазерной (дисковой) памяти, использующей свойства некоторых полимерных материалов в точке лазерного нагрева в зависимости от температуры изменять фазовое состояние вещества (в частности кристаллизоваться или плавиться с возвращением в исходное состояние), а вместе с ним —и характеристики отражения. Указанная технология позволяет создавать оптические диски (650 Мбайт) для многократной перезаписи данных. Разработкой данной технологии занимается ряд фирм, включая Panasonic, Toshiba и Matsushita;
 - электростатическая память [electrostatic storage] — вид памяти (ЗУ), в котором носителями данных являются накопленные заряды статического электричества на поверхности диэлектрика.
4. По назначению, организации памяти и/или доступа к ней различаются:
 - автономная память, автономное ЗУ [off-line storage] — вид памяти (ЗУ), не допускающий прямого доступа к ней со стороны центрального процессора: обращение к ней, а также управление ею производится вводом в систему специальных команд и через посредство оперативной памяти;
 - адресуемая память [addressed memory] —вид памяти (ЗУ), к которой может непосредственно обращаться центральный процессор;
 - ассоциативная память, ассоциативное ЗУ [associative memory, content-addressable memory, САН] —вид памяти (ЗУ), в котором адресация осуществляется на основе содержания данных, а не их местоположения, чем обеспечивается ускорение поиска необходимых записей. С указанной целью поиск в ассоциативной памяти производится на основе определения содержания в той или иной ее области (ячейке памяти) слова, словосочетания, символа и т.п., являющихся поисковыми признаками.
Существуют различные методы реализации АЗУ, в том числе использующие методы поиска основанные на "точном совпадении", "близком совпадении", "маскировании" слова-признака и т.д., а также различные процедуры реализации поиска, например, кэширования с целью производства "наилучшей оценки" истинного адреса, за которой следует проверка содержимого ячейки с вычисленным адресом. Некоторые ассоциативные ЗУ строятся по принципу последовательного, другие —параллельного сравнения признаков поиска (так называемые ортогональные ЗУ). Параллельные ассоциативные ЗУ нашли применение в организации кэш-памяти и виртуальной памяти;
 - буферная память, буферное ЗУ [buffer storage] —вид памяти (ЗУ), предназначенный для временного хранения данных при обмене ими между различными устройствами ЭВМ;
 - виртуальная память [virtual memory]:
1) способ организации памяти, в соответствии с которым часть внешней памяти ЭВМ используется для расширения ее внутренней (основной, оперативной) памяти. Например, содержимое некоторой области, не используемой в данный момент времени внутренней памяти, хранится на жестком диске и возвращается в оперативную память по мере необходимости;
2) область (пространство) памяти, предоставляемая отдельному пользователю или группе пользователей и состоящая из основной и внешней памяти ЭВМ, между которыми организован так называемый постраничный обмен данными. С указанной целью все адресное пространство делится на страницы памяти. Поиск адресов страниц производится в ассоциативной памяти;
 - временная память [temporary storage] — специальное запоминающее устройство или часть оперативной памяти, резервируемые для хранения промежуточных результатов обработки;
 - вспомогательная память [auxiliary storage] —часть памяти ЭВМ, охватывающая внешнюю и наращенную оперативную память;
 - вторичная память [secondary storage] — вид памяти, который в отличие от основной памяти имеет большее время доступа, основывается на блочном обмене, характеризуется большим объемом и служит для разгрузки основной памяти;
 - гибкая память [elastic storage] — вид памяти, позволяющей хранить переменное число данных, пересылать (выдавать) их в той же последовательности, в которой принимает, и варьировать скорость вывода;
 - дополнительная память [add-in memory] —вид устройства памяти (ЗУ), предназначенного для увеличения объема основной оперативной или внешней памяти на жестком магнитном диске (ЖИД), входящих в основной комплект поставки ЭВМ;
 - иерархическая память [hierarchical storage] — вид памяти, имеющей иерархическую структуру, на верхнем уровне которой используется сверхоперативное запоминающее устройство, а на нижнем уровне —архивное ЗУ сверхбольшой емкости;
 - коллективная (массовая) память, память коллективного доступа [shared memory]:
1) память, доступная множеству пользователей, которые могут обращаться к ней одновременно или последовательно;
2) память, связанная одновременно с несколькими процессорами для обеспечения их взаимодействия при совместно решаемых ими задачах и использовании общих для них программных средств;
 - корректирующая память [patch memory] —часть памяти ЭВМ, предназначенная для хранения адресов неисправных ячеек основной памяти;
 - локальная память [local memory] — внутренняя память отдельного устройства ЭВМ (процессора, канала и т.п.), предназначенная для хранения управляющих этим устройством команд, буферируемых данных, а также сведений о состоянии устройства;
 - магазинная (стековая) память [pushdown storage] — вид памяти (ЗУ), являющийся аппаратной реализацией магазинного списка —стека, запись и считывание в котором осуществляются через одну и ту же ячейку — вершину стека;
 - матричная память [matrix storage] — вид памяти, элементы (ячейки) которой имеют такое расположение, что доступ к ним осуществляется по двум или более координатам;
 - многоблочная память [multibunk memory] — вид оперативной памяти, организованной из нескольких независимых блоков, допускающих одновременное обращение к ним, что повышает ее пропускную способность;
 - многовходовая память [multiport storage (memory)] — устройство памяти (ЗУ), допускающее независимое обращение с нескольких направлений (входов), причем обслуживание запросов производится в порядке их приоритета;
 - многоуровневая память [multilevel memory] — организация памяти, состоящая из нескольких уровней запоминающих устройств с различными характеристиками и рассматриваемая со стороны пользователей как единое целое. Для многоуровневой памяти характерна страничная организация, обеспечивающая "прозрачность" обмена данными между ЗУ разных уровней;
 - непосредственно управляемая (оперативно доступная) память [on-line storage] — память, непосредственно доступная в данный момент времени центральному процессору;
 - объектно-ориентированная память [object storage] — память, система управления которой ориентирована на хранение объектов. При этом каждый объект характеризуется типом и размером записи;
 - оверлейная память [overlayable storage] — вид памяти с перекрытием вызываемых в разное время программных модулей;
 - одноуровневая память [one-level storage]:
1) вид памяти с единой адресацией для запоминающих устройств различных типов в одной ЭВМ,
2) виртуальная память;
 - память параллельного действия [parallel storage] —вид памяти, в которой все области поиска могут быть доступны одновременно;
 - перезагружаемая управляющая память [reloadable control storage] — вид памяти, предназначенный для хранения микропрограмм управления и допускающий многократную смену содержимого —автоматически или под управлением оператора ЭВМ;
 - перемещаемая память [data-carrier storage] — вид архивной памяти, в которой данные хранятся на перемещаемом носителе. Непосредственный доступ к ним от ЭВМ отсутствует;
 - память последовательного действия [sequential storage] — вид памяти, в которой данные записываются и выбираются последовательно — разряд за разрядом;
 - память процессора, процессорная память [processor storage] — память, являющаяся частью процессора и предназначенная для хранения данных, непосредственно участвующих в выполнении операций, реализуемых арифметико-логическим устройством и устройством управления;
 - память (ЗУ) со встроенной логикой, функциональная память [logic-in-memory] — вид памяти (ЗУ), содержащий встроенные средства логической обработки (преобразования) данных, например их масштабирования, преобразования кодов, наложения полей и др.;
 - рабочая (промежуточная) память [working (intermediate) storage]:
1) часть памяти ЭВМ, предназначенная для размещения временных наборов данных,
2) память для временного хранения данных;
 - реальная память [real storage] — вся физическая память ЭВМ, включая основную и внешнюю память, доступная для центрального процессора и предназначенная для размещения программ и данных;
 - регистровая память [register storage] — вид памяти, состоящей из регистров общего назначения и регистров с плавающей запятой;
 - свободная (доступная) память [free space] —область или пространство памяти (ЗУ), которая в данный момент может быть выделена для загрузки программы или записи данных;
 - семантическая память, семантическое ЗУ [semantic storage] — вид памяти, в которой данные размещаются и списываются в соответствии с некоторой структурой понятийных признаков;
 - совместно используемая (разделяемая) память (ЗУ) [shareable storage] — вид памяти, допускающий одновременное использование его несколькими процессорами;
 - память с защитой, защищенное ЗУ [protected storage] — вид памяти, имеющий встроенные средства защиты от несанкционированного доступа к любой из его ячеек;
 - память (ЗУ) с последовательным доступом [sequential access storage] — вид памяти, в которой последовательность обращенных к ним входных сообщений и выборок данных соответствует последовательности, в которой организованы их записи. Основной метод поиска данных в этом виде памяти — последовательный перебор записей;
 - память с прямым доступом, ЗУ прямого доступа, ЗУ с произвольной выборкой, ЗУПВ [Random (direct) Access Memory (storage), RAM] — вид памяти, в котором последовательность обращенных к ним входных сообщений и выборок данных не зависит от последовательности, в которой организованы их записи или их местоположения;
 - память с пословной организацией [word-organized memory] —вид памяти, в которой адресация, запись и выборка данных производится не побайтно, а пословно;
 - статическая память (ЗУ) [static storage] — вид памяти, в котором положение данных и их значение не изменяются в процессе хранения и считывания.
Разновидностью этого вида памяти является статическое ЗУПВ [static RAM];
 - страничная память [page memory] — память, разбитая на одинаковые области —страницы. Обмен с такой памятью осуществляется страницами;
 - управляющая память [control storage] — память, содержащая управляющие программы или микропрограммы. Обычно реализуется в виде постоянного запоминающего устройства.